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9.发明名称:反铁磁非晶基体的纳米晶高密度存储材料 2010-04-20

发明名称:反铁磁非晶基体的纳米晶高密度存储材料

发明人:赵言辉 赵德乾 潘明祥 汪卫华

专利号:ZL 2004 1 0038273.1

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